產(chǎn)品簡(jiǎn)介：西門(mén)子6SL3054-0EH01-1BA0CF卡原裝現(xiàn)貨

6SL3054-0EH01-1BA0

SINAMICS S120 CF 卡 con 固件 opzione AMPLIAMENTO 性能 COMPRENSIVO DI 許可 （許可證） V4.7 

產(chǎn)品圖片：西門(mén)子6SL3054-0EH01-1BA0CF卡原裝現(xiàn)貨

產(chǎn)品性能：

無(wú)論如何，CF卡還會(huì)繼續(xù)被很多設(shè)備支援，仍然成為專(zhuān)業(yè)數(shù)碼相機(jī)的主流標(biāo)準(zhǔn)。在2005年出產(chǎn)的消費(fèi)級(jí)數(shù)碼相機(jī)中，有一定數(shù)量還是支援CF卡。CF的主要特點(diǎn)仍是以少的價(jià)錢(qián)換取大的MB數(shù)，比小型記憶卡有著高容量，CF II能使用MicroDrive，以及透過(guò)轉(zhuǎn)接器使用多種較小記憶卡。同時(shí), CF卡接口的記憶卡轉(zhuǎn)接器比其他類(lèi)型的平, 全因它沒(méi)有芯片組。

閃存型存儲(chǔ)設(shè)備具有非易失性和固態(tài)，所以它比磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更穩(wěn)固，耗電量?jī)H相當(dāng)于磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的5%，卻仍然具有較快的傳輸速率（SanDisk Extreme III型CF卡的寫(xiě)入速度和讀取速度可達(dá)20MB/s）。它們的工作電壓為3.3volts或5volts，可以在不同的系統(tǒng)間轉(zhuǎn)換。閃存型CF卡可以適應(yīng)的溫度變化，工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的閃存卡可以在-45至85攝氏度的范圍內(nèi)工作。

4應(yīng)用編輯
CF接口已廣泛用于PDA、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)和包括臺(tái)式機(jī)在內(nèi)的各種設(shè)備。

到2005年，CF卡的容量規(guī)格從小的8MB到大可達(dá)12GB。（這里的1MB=1,000,000byte，1GB=1000MB）

EP7212是CIRRUS LOGIC公司生產(chǎn)的支持MP3格式的數(shù)字音頻解碼的微處理器。它采用ARM7TDMI CPU核，時(shí)鐘速率高達(dá)74MHz；它內(nèi)含DRAM、FLASH、LCD、串口和數(shù)字音頻接口。這些特征使得開(kāi)發(fā)者容易實(shí)現(xiàn)MP3文件的解碼和播放。本例中利用CF卡存儲(chǔ)MP3。

（1）CPLD邏輯關(guān)系采用VHDL語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)

OE <=NCS3 OR NRD；

WE <=NCS3 OR NWR；

CE1 <=A0 AND (NOT WORD)；

CE2 <=(NOT A11)AND (NOT WORD);

REG <=A11；

（2）軟件實(shí)現(xiàn)

首先，配置結(jié)構(gòu)寄存器，設(shè)為MEMORY模式。然后，各個(gè)任務(wù)寄存器設(shè)定參數(shù)。后，將命令寫(xiě)入命令寄存器，執(zhí)行操作。下面的代碼段實(shí)現(xiàn)將CF卡一個(gè)扇區(qū)全部寫(xiě)入0XAAAA。

LDR R0，=0X30000200； //結(jié)構(gòu)寄存器地址A11=1

LDR R1，=0；

STRB R1，[R0]; //設(shè)置為MEMORY方式

LDR R0，=0X30000800； //初始化地址，A11=1

LDR R2，=0X80； //檢測(cè)忙信號(hào)

LDR R3，=0XAAAA; //測(cè)試數(shù)據(jù)

LDR R1，=1； //傳輸扇區(qū)數(shù)目。此處是1個(gè)扇區(qū)大小

STRB R1，[R0,#2];

LDR R1,=0; //起始扇區(qū)號(hào)

STRB R1，[R0,#3];

LDR R1,=0; //柱面低8位地址

STRB R1，[R0,#4]；

LDR R1，=0； //柱面高8位地址

STRB R1,[R0,#5];

LDR R1,=0XE0; //磁道數(shù)

STRB R1，[R0,#6];

LDR R1,=0X30； //寫(xiě)扇區(qū)命令

STRB R1[R0,#7];

WAIT

LDRB R1，[R0,#7]; //讀狀態(tài)信號(hào)，檢測(cè)是否忙。

//若忙，在此循環(huán)

TST R1，R2；

BNE WAIT

LDR R4，=0; //初值

LDR R5，=0X100； //寫(xiě)256個(gè)字，512個(gè)字節(jié)。

WRITE

STR R6，[R0]；

ADD R5，R5，#1；

CMP R5，R4；

BNE WRITE； //向緩沖寫(xiě)512個(gè)字節(jié)

由于篇幅有限，本文僅給出MEMORY模式實(shí)現(xiàn)的方法，其它兩種模式實(shí)現(xiàn)與MEMORY相似。由于CF卡具有易于攜帶、兼容性好、容量大的特點(diǎn)，可以預(yù)見(jiàn)，它必將在更廣闊的領(lǐng)域得到應(yīng)用

代理證：